| RAM-CII再入攻角对周围流场电子密度的影响 | |
| 其他题名 | 中国科学院力学研究所高温气体动力学国家重点实验室; |
蒋建政 ; 万田; 张羽淮; 樊菁
| |
| 会议录名称 | 第十三届全国物理力学学术会议论文摘要集 |
| 2014 | |
| 会议名称 | 第十三届全国物理力学学术会议 |
| 会议日期 | 2014-10-17 |
| 会议地点 | 中国湖南湘潭 |
| 摘要 | 再入过程中的电子数密度,在一定高度范围,随着再入高度的降低而增大。给定通讯频率,通讯中断的始发高度,是实际关心的问题。为了弄清通讯中断机理,美国在上世纪60年代,历时10年,开展一系列飞行试验[1,2],RAM C-II是其中的一次。根据文献[2]报道,RAM C-II试验测量得到的电子密度,随时间波动,最大值与最小值相差约3倍(图1)。这种差别被认为缘自飞行攻角的影响,因为在飞行过程中,飞行器有滚转,电子密度测量仪有时处于迎风面,有时处于背风面。虽然有许多研究者对RAM C-II的电子密度进行了计算,但几乎都 |
| 关键词 | 电子密度 Ram-cii 飞行试验 试验测量 电子数密度 背风面 迎风面 高度范围 量仪 滚转 |
| 课题组名称 | LHD微尺度和非平衡流动 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/52114 |
| 专题 | 高温气体动力学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒋建政,万田,张羽淮,等. RAM-CII再入攻角对周围流场电子密度的影响[C]第十三届全国物理力学学术会议论文摘要集,2014. |
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