| 一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置 | |
陈启生 ; 颜君毅; 姜燕妮
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| 2015-11-04 | |
| Rights Holder | 中国科学院力学研究所 |
| Abstract | 本发明公开一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置，包括感应加热装置、真空腔和晶体生长单元，所述感应加热装置包括感应线圈以及为所述感应线圈供电的中频电源，所述感应线圈位于所述真空腔的外部；所述晶体生长单元包括位于真空腔内的石墨感应器、保温材料、石墨坩埚和籽晶托；所述保温材料位于所述石墨感应器的外部；所述石墨坩埚位于所述石墨感应器的内部，所述籽晶托位于所述石墨坩埚的顶部。本发明的装置能够大大降低生产碳化硅单晶所需要的功率，还能避免感应线圈放置在真空室内可能产生真空放电、冷却水通道漏水、石墨粉末污染铜管等问题，具有较高的实用价值。 |
| Application Date | 2012-05-28 |
| Application Number | CN201210169399.7 |
| Patent Number | CN102703966B |
| Claim | 1.一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置，其特征在于，包括感应加热装置、真空腔和晶体生长单元，其中， 所述感应加热装置包括感应线圈以及为所述感应线圈供电的中频电源，所述感应线圈位于所述真空腔的外部； 所述晶体生长单元包括位于真空腔内的石墨感应器、保温材料、石墨坩埚和籽晶托；所述保温材料位于所述石墨感应器的外部；所述石墨坩埚位于所述石墨感应器的内部，所述籽晶托位于所述石墨坩埚的顶部； 所述感应线圈具有独立的冷却水通道；所述感应线圈为空心紫铜管线圈，其中心为冷却水通道；或者，所述感应线圈为实心紫铜板线圈，沿着该实心紫铜板线圈焊接空心紫铜管，作为所述感应线圈的冷却水通道； 所述真空腔包括石英管、位于所述石英管上部的上法兰和位于所述石英管下部的下法兰，所述上法兰和下法兰分别具有冷却水通道； 空心紫铜管绕制在所述石英管上，作为所述石英管的冷却水通道； 所述上法兰为双层不锈钢结构或局部双层不锈钢结构，所述上法兰的中空部分为冷却水通道；或者，空心紫铜管绕制在所述上法兰上，作为所述上法兰的冷却水通道； 所述下法兰为双层不锈钢结构或局部双层不锈钢结构，所述下法兰的中空部分为冷却水通道；或者，空心紫铜管绕制在所述下法兰上，作为所述下法兰的冷却水通道。 |
| Language | 中文 |
| Classification | 发明授权 |
| Status | 有效 |
| Note | 授权 |
| Country | 中国 |
| Agency | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/56560 |
| Collection | 微重力重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陈启生,颜君毅,姜燕妮. 一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置. CN102703966B[P]. 2015-11-04. |
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| CN102703966A.pdf（473KB） | 开放获取 | CC BY-NC-SA | View Download | |||
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