| 同轴热电偶瞬态热流传感器氧化式绝缘层加工制作装置 |
| 韩桂来 ; 胡宗民; 姜宗林
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| 2021-06-15
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| 专利权人 | 中国科学院力学研究所
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| 摘要 | 本发明公开了同轴热电偶瞬态热流传感器氧化式绝缘层加工制作装置，包括传感器的高温氧化腔，高温氧化腔上设置有向高温氧化腔内通入气体的气体通道，高温氧化腔的两侧端部分别设置有用于传感器传送的传送检测模块，两个传送检测模块之间电性连接用于传感器绝缘层检测，高温氧化腔内设置有用于传感器表面抛光的抛光组件；传感器在高温氧化腔内经过抛光组件抛光氧化，且在传送检测模块作用下带动传感器沿高温氧化腔移动同时为传感器的绝缘层进行检测。本发明通过高温加热氧化的方法在传感器上形成氧化绝缘层，不仅有效解决传感器不便于在高温环境中使用的问题，而且在传感器表面上形成厚度均匀的绝缘层。 |
| 申请日期 | 2020-12-04
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| 授权日期 | 2021-06-15
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| 专利号 | ZL202011412660.2
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| 语种 | 中文
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| 授权国家 | 中国
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| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/87742
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| 专题 | 高温气体动力学国家重点实验室
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| 作者单位 | 中国科学院力学研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
韩桂来,胡宗民,姜宗林. 同轴热电偶瞬态热流传感器氧化式绝缘层加工制作装置. ZL202011412660.2[P]. 2021-06-15.
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文件名：
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20210615_0C_CN_0 (1).pdf
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格式：
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Adobe PDF
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