| 一种具有高灵敏度的多层结构应变传感器 | |
| 苏业旺; 周联巧; 李爽 | |
| 2022-11-15 | |
| Rights Holder | 中国科学院力学研究所 |
| Abstract | 本发明涉及应变传感器技术领域，提供了一种具有高灵敏度的多层结构应变传感器，包括传感器本体，传感器本体包括第一薄膜层，第一薄膜层连接有第二薄膜层，远离第一薄膜层侧的第二薄膜层连接有第三薄膜层，第一薄膜层和第二薄膜层及第三薄膜层之间设置有空腔，第一薄膜层上设置有应变核心区；第二薄膜层使第一薄膜层和第三薄膜层之间非直接连接，结合应变核心区参数设计使第一薄膜层上应变核心区的刚度较两侧区域的刚度更低，从而在第一薄膜层的应变核心区上产生更大的应变，由此实现了当被测物体变形较小时，也能够满足准确测量要求。 |
| Application Date | 2021-10-14 |
| Application Number | CN202111194918.0 |
| Patent Number | CN113959327B |
| Claim | 1.一种具有高灵敏度的多层结构应变传感器，包括传感器本体，其特征在于， 所述传感器本体包括第一薄膜层，所述第一薄膜层连接有第二薄膜层，远离所述第一薄膜层侧的所述第二薄膜层连接有第三薄膜层； 所述第一薄膜层和所述第二薄膜层及所述第三薄膜层之间设置有空腔； 所述第一薄膜层上设置有可放大变形的应变核心区； 所述第一薄膜层为哑铃形结构； 与所述应变核心区相对应的所述第一薄膜层处的材料弹性模量降低，降低方式为在与所述应变核心区相对应的所述第一薄膜层处设置异质部，异质部材料的弹性模量低于第一薄膜层材料非应变核心区的弹性模量； 所述第二薄膜层为两个，并且分别设置在所述第一薄膜层和所述第三薄膜层相对的两个端部； 所述传感器本体的外侧包覆有与所述传感器本体具有相同形状的封装薄膜，并且所述封装薄膜可随所述传感器本体的拉伸进行同步拉伸； 所述第二薄膜层的厚度分别小于所述第一薄膜层和所述第三薄膜层的厚度； 对所述应变核心区的应变表征方式为电阻式； 在远离所述第二薄膜层侧的所述第一薄膜层的表面，所述应变核心区上连接有敏感栅结构，所述应变核心区以外的区域连接有导体箔，导体箔与第一薄膜层上非应变核心区区域的形状相同，所述导体箔与所述敏感栅结构相连接共同构成应变片，所述应变片为哑铃形结构； 所述敏感栅结构与所述导体箔的连接处设置有第一圆弧部，所述应变核心区与所述第一薄膜层的连接处设置有第二圆弧部；所述敏感栅结构的电阻阻值大于所述导体箔的电阻阻值。 |
| Language | 中文 |
| Classification | 发明授权 |
| Status | 有效 |
| Note | 授权 |
| Country | 中国 |
| Agency | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/91157 |
| Collection | 非线性力学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 苏业旺,周联巧,李爽. 一种具有高灵敏度的多层结构应变传感器. CN113959327B[P]. 2022-11-15. |
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