脉冲辅助过滤电弧沉积薄膜装置和方法

IMECH-IR > 力学所知识产出(1956-2008)

	脉冲辅助过滤电弧沉积薄膜装置和方法
	张勇; 曹尔妍; 李成明
	2004-01-28
Rights Holder	中国科学院力学研究所
Abstract	本发明属涉及表面多弧离子镀膜装置和方法，它包括在真空室内装有通入反应气体用的机构和安装蒸发源靶，真空系统连接在真空室，真空腔接地为阳极；直流电源的阴极与蒸发源靶相连接，阳极与真空腔连接接地；在真空室底部有一支架，支架下有加热元件并连接加热电源，还包括一个磁场电源，和在电弧蒸发源靶下方安置磁场线圈；磁场电源与磁场线圈电连接，一磁场直流电源和脉冲电源各自一端连接一开关，另一端与蒸发源靶的直流电源电连接，又与真空腔连接接地，开关一端与工件电连接。
Application Date	1999-10-11
Application Number	CN99121640.7
Patent Number	CN1136332C
Claim	1、一种脉冲辅助过滤电弧沉积薄膜装置，包括电弧蒸发源靶、通入反应气体用的机构、电源、支架、加热元件、加热元件用电源、真空系统，其中在可容纳工件的真空室中装有通入反应气体用的机构，和真空室通过真空管道连接有真空系统，真空室室壁上安装欲镀材料的电弧蒸发源靶，真空腔接地为阳极；直流电源的阴极与蒸发源靶相连接，阳极与真空腔连接接地；在真空室底部有一具有公转和自转的支架，支架上放置工件，真空室有向工件提供加热的机构，加热机构与真空室外的加热电源电连接，其特征在于：还包括一由直流电源和脉冲交流电源组成的磁场电源组，和在真空室内电弧蒸发源靶下方安置至少一个磁场线圈；所述的磁场电源组与磁场线圈电连接，以及直流电源和脉冲交流电源各自一端连接一开关，开关一端写工件电连接，直流电源和脉冲交流电源另一端与蒸发源靶相连接的直流电源电连接，又与真空腔连接接地。
Classification	发明授权
Status	失效
Note	未缴年费
Country	中国
Agency	上海智信专利代理有限公司
Document Type	专利
Identifier	http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/99581
Collection	力学所知识产出(1956-2008)
Recommended Citation GB/T 7714	张勇,曹尔妍,李成明. 脉冲辅助过滤电弧沉积薄膜装置和方法. CN1136332C[P]. 2004-01-28.

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